公开/公告号CN103794137A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-05-14
原文格式PDF
申请/专利权人 立德高科(北京)数码科技有限责任公司;
申请/专利号CN201410054818.1
申请日2014-02-18
分类号G09F3/02(20060101);G06K9/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 100081 北京市海淀区大柳树路17号富海国际港803室
入库时间 2024-02-20 00:11:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-02
著录事项变更 IPC(主分类):G09F3/02 变更前: 变更后: 申请日:20140218
著录事项变更
2018-09-14
专利权的转移 IPC(主分类):G09F3/02 登记生效日:20180827 变更前: 变更后: 申请日:20140218
专利申请权、专利权的转移
2016-05-25
授权
授权
2015-06-17
著录事项变更 IPC(主分类):G09F3/02 变更前: 变更后: 申请日:20140218
著录事项变更
2014-06-11
实质审查的生效 IPC(主分类):G09F3/02 申请日:20140218
实质审查的生效
2014-05-14
公开
公开
查看全部
机译: 对象例如活体生物体部分,乘用车的防撞保护装置,具有带有导电层的传感器装置,该传感器层附着在车辆部件上,从而该层的电场线在干扰区域中部分延伸
机译: 干扰光识别装置,干扰光分离装置,干扰光识别方法和干扰光分离方法
机译: 硅化物或锗硅化物层的制造方法,例如形成MOS晶体管时,当将元素沉积在隔离区域上时,需要从隔离区域中去除金属元素和带有另一种金属元素的层