首页> 中国专利> 一种亚微米光子晶体位相阵列光分束器的制作方法

一种亚微米光子晶体位相阵列光分束器的制作方法

摘要

本发明公开了属于新型电子器件及光信息技术领域的一种亚微米光子晶体位相阵列光分束器的制作方法。该方法为:1)求解二维六角光子晶体位相阵列结构的菲涅耳衍射方程,确定最佳设计参数;2)设计二维亚微米周期结构的六角光子晶体微结构阵列掩膜板,在铌酸锂晶体上刻蚀出微结构阵列极化反转电极;3)对铌酸锂晶体进行电场极化,制备出亚微米结构的六角阵列分布的晶体;4)洗去铌酸锂晶体±z面上的铝电极,在±z面磁控溅射氧化铟锡薄膜平板电极,将铌酸锂晶体±z面与直流电源正负极相接,调节电压的大小来实现位相阵列光分束效应。本发明设计的光分束器具有分束均匀性好、光斑点阵数多、衍射效率高等优点,能够实现信息的并行传输与处理。

著录项

  • 公开/公告号CN103885190A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京交通大学;

    申请/专利号CN201410146191.2

  • 发明设计人 陈云琳;张进宏;范天伟;

    申请日2014-04-11

  • 分类号G02B27/10;G02F1/03;

  • 代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄家俊

  • 地址 100044 北京市海淀区西直门外上园村3号

  • 入库时间 2024-02-20 00:11:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-31

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G02B27/10 申请公布日:20140625 申请日:20140411

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-07-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B27/10 申请日:20140411

    实质审查的生效

  • 2014-06-25

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号