隆起源极/漏极MOS晶体管及借助植入间隔件及外延间隔件形成所述晶体管的方法

摘要

本发明涉及一种隆起源极/漏极MOS晶体管及一种借助植入间隔件及外延间隔件形成所述晶体管的方法。以以下工艺来形成隆起源极/漏极MOS晶体管(400、540、600、740、800、940、1000、1140)：在植入半导体区以形成所述晶体管(400、540、600、740、800、940、1000、1140)的重掺杂源极区(420H、510、720、820H、920、1110)及重掺杂漏极区(422H、512、722、822H、922、1112)时，利用第一侧壁间隔件(508、610/708/716、432/914、708)；及在外延生长所述晶体管(400、540、600、740、800、940、1000、1140)的隆起源极区(420E、520、710、820E、910、1120)及隆起漏极区(422E、522、712、822E、912、1122)时，利用第二不同侧壁间隔件(432/514、708、508、1010/708/1116)。