一种减小硅通孔周围区域应力的方法

摘要

本发明涉及一种如何减少硅通孔周围区域应力的方法。硅通孔在制备过程中会经历刻蚀、侧壁绝缘、种子层沉积、通孔填充等工艺步骤，产生工艺残余应力，此外，由于铜与周围材料的热膨胀系数差别大，这些都会导致硅通孔的周围区域内出现一定的应力集中现象，这种应力会对硅通孔周围的半导体器件性能和可靠性带来不利影响。针对目前采用的退火的方式减少孔周围应力和应力影响范围的局限性，提出一种通过在硅通孔外围一定区域内加工出一定深度以及特定形状的应力消除结构的解决方案。与现有技术相比，本发明的有益效果在于克服了退火方式消除应力的工艺复杂度，极大减小应力影响区域面积，只需在硅通孔周围一定区域内利用传统刻蚀方式开设特定结构的应力消除结构，就可以显著提高硅通孔的使用寿命以及外围器件的工作稳定性，具有工艺简单可靠、容易实现的优点。