首页> 中国专利> 非对称Au粒子阵列和FP腔耦合的折射率传感器

非对称Au粒子阵列和FP腔耦合的折射率传感器

摘要

本发明提供了一种非对称Au粒子阵列和FP腔耦合的折射率传感器。该折射率传感器包括:绝缘衬底,其至少单面抛光;金属薄膜反射层,沉积于衬底的抛光面上;透明介质层,沉积金属薄膜反射层上;以及二维金属单元阵列,形成于透明介质层上,该二维金属单元阵列中的每一金属单元为非对称单元,其是由两个沿衬底表面排列的金属纳米柱构成,每一金属单元的两金属纳米柱与位于其正下方的金属薄膜反射层之间构成一F-P腔回路。本发明折射率传感器结合了非对称粒子Fano共振效应以及把LSP模式和FP腔模进行耦合,可以降低传感器共振谷的半高宽,从而提升了局域表面等离子体传感器性能。

著录项

  • 公开/公告号CN103808691A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-05-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201410056974.1

  • 申请日2014-02-19

  • 分类号G01N21/41(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人曹玲柱

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2024-02-19 23:54:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-08

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01N21/41 申请公布日:20140521 申请日:20140219

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-06-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/41 申请日:20140219

    实质审查的生效

  • 2014-05-21

    公开

    公开

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