一种采用螺旋波等离子体溅射技术制备硅纳米晶薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种采用螺旋波等离子体溅射技术制备硅纳米晶薄膜的方法，包括：在硅衬底上热生成二氧化硅层；将一定配比的硅粉末和二氧化硅粉末的混合物，高温烧结成靶材，以螺旋波等离子体溅射技术，沉积至所述的二氧化硅层上。通过控制衬底的温度，不需要再经高温退火，即可在上述二氧化硅层上，制得4-6nm直径的硅纳米晶薄膜。本发明所涉及的方法与成熟的硅基光电子工艺相兼容，在半导体材料的制备与加工领域，有广泛的应用前景。