公开/公告号CN103762271A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-30
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十一研究所;
申请/专利号CN201410006177.2
申请日2014-01-07
分类号
代理机构工业和信息化部电子专利中心;
代理人张蕾
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号
入库时间 2024-02-19 23:41:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-22
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20140430 申请日:20140107
发明专利申请公布后的驳回
2014-06-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20140107
实质审查的生效
2014-04-30
公开
公开
机译: 活化单晶人工晶体和通过喷涂或沉淀法沉积的多晶层,元素的硫族化物,碲,镉,铅,锌,汞的活化方法
机译: 汞和镉的半导体碲化物中合金的处理方法。
机译: 元素硫,碲,镉,锌,铅,汞的硫属元素化物的活化方法