一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法，芯片由至少一个单元模块组成，该单元模块包含至少一个LED微晶粒；各LED微晶粒之间互相绝缘隔离集成于衬底上，且各单元模块中的LED微晶粒之间以及单元模块之间通过互联引线的方式串联在一起。在制造时，先在一个衬底上生长N型外延层、量子阱发光层、P型外延层，刻蚀出制作N电极的N型外延层的材料面和LED微晶粒间的绝缘隔离跑道后，分别在P型外延材料制作电流阻挡层、ITO透明导电层和金属电极；然后通过激光划片工艺沿所述隔离跑道进行切割，得到模块化阵列式高压LED芯片。本发明能同时得到30V和60V的阵列式高压芯片，并降低了芯片制造成本，给芯片的加工提供了多种可供选择的方案。