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一种高性能有机场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法。该有机场效应晶体管,包括衬底、位于所述衬底上的栅极电极、位于所述栅极电极上的由介电材料制成的介电层、位于所述介电层上的聚合物层、位于所述聚合物层上的有机半导体层以及位于所述有机半导体层上的源漏电极;所述聚合物层由聚苯乙烯和聚苯醚的混合物制成。本发明通过共混聚合物介电修饰层有效地控制优化半导体层形貌,使有机半导体层形成了一种大小晶粒织态结构晶膜,有效提高有机半导体层载流子传输性能;通过优化,并五苯有机场效应晶体管单管迁移率高达3.6cm

著录项

  • 公开/公告号CN102110776B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-10-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院化学研究所;

    申请/专利号CN201010578898.2

  • 申请日2010-12-03

  • 分类号

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人关畅

  • 地址 100080 北京市海淀区中关村北一街2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/05 授权公告日:20121003 终止日期:20151203 申请日:20101203

    专利权的终止

  • 2012-10-03

    授权

    授权

  • 2011-08-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20101203

    实质审查的生效

  • 2011-06-29

    公开

    公开

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