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低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法

摘要

本发明一种低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法,涉及有机场效应晶体管技术,该有机场效应晶体管为下电极结构,其源漏电极,是由具有低功函的材料构成,包括银或铜,在源漏电极和有机半导体的接触面形成有有机电荷转移复合盐层;其制备方法是:在衬底上沉积栅极电极和绝缘层,再在绝缘层上沉积源漏电极;对源漏电极进行修饰,使其上表面覆着一有机电荷转移复合盐层;再在复合盐层上沉积有机半导体材料。本发明的有机场效应晶体管,其金属下电极与半导体有良好的接触,保证了载流子的有效注入,本发明方法可以实现高性能、低成本有机场效应晶体管制备。

著录项

  • 公开/公告号CN101101967A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-01-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院化学研究所;

    申请/专利号CN200610089591.X

  • 申请日2006-07-05

  • 分类号H01L51/05(20060101);H01L51/40(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100080 北京市海淀区中关村北一街2号

  • 入库时间 2023-12-17 19:37:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L51/05 公开日:20080109 申请日:20060705

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2008-02-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-01-09

    公开

    公开

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