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一种新型的含蒽结构窄带隙共轭聚合物材料的制备

摘要

本发明公开了一种新型的含蒽结构窄带隙共轭聚合物材料的制备方法与应用。本发明含蒽结构窄带隙共轭聚合物,结构如说明书附图中图1所示所示。其中n为大于等于4的整数。目前,具有给受体交替结构主链的共轭聚合物是当前研究的重点,含蒽结构窄带隙共轭聚合物具有非常好的平面性,有利于聚合物链之间的π-π有序堆叠,聚合物链的有序堆叠有利于提高聚合物载流子迁移率。含蒽结构的共轭聚合物在有机场效应管和有机发光二级管中的应用已经有了一些研究。但是,在光伏材料的应用中,含蒽结构窄带隙共轭聚合物材料目前报道的还比较少见。

著录项

  • 公开/公告号CN103665332A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京师范大学;

    申请/专利号CN201210322620.8

  • 发明设计人 李翠红;龚雪;薄志山;

    申请日2012-09-04

  • 分类号C08G61/12;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100875 北京市新街口外大街19号北京师范大学化学学院

  • 入库时间 2024-02-19 23:23:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-20

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C08G61/12 申请公布日:20140326 申请日:20120904

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-03-26

    公开

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