首页> 中国专利> 移动加热器法(THM)生长的CdMnTe晶体欧姆结构器件的制备方法

移动加热器法(THM)生长的CdMnTe晶体欧姆结构器件的制备方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及一种移动加热器法（THM）生长的CdZnTe晶体欧姆结构器件的制备方法，属于辐射探测器材料及其器件制造工艺技术领域，本发明是采用移动加热器法制备CdZnTe晶体，并将CdZnTe晶体进行切片、倒角、磨片、抛光和腐蚀等后期工艺，最后在CdZnTe晶体上表面采用蒸镀或溅射方法制备100~300nm厚的金电极，为制作CdZnTe晶体欧姆结构器件提供了一种新的方法，也为最后制作CdZnTe探测器奠定基础。本发明的特点在于：采用移动加热器法制备单晶率高、尺寸大、晶体缺陷少、电阻率高的CdZnTe晶体样品。晶体的尺寸一般为10mm×10mm×3mm，电阻率2×10

著录项

公开/公告号CN103531662A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-01-22

原文格式PDF
申请/专利权人上海大学;
展开▼

申请/专利号CN201310507778.7
发明设计人王林军;沈萍;张继军;沈敏;吴文其;周捷;姚蓓玲;唐可;黄健;
展开▼

申请日2013-10-24
分类号H01L31/18;H01L31/0224;
代理机构上海上大专利事务所(普通合伙);
代理人顾勇华
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
入库时间 2024-02-19 23:02:09

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-07-06

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20140122 申请日:20131024

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-02-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20131024

实质审查的生效
2014-01-22

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 移动加热器法(THM)生长的CdMnTe晶体欧姆结构器件的制备方法 [P] . 中国专利： CN103531662A . 2014-01-22
2. 移动加热器法生长碲锌镉晶体的装置 [P] . 中国专利： CN102864496A . 2013-01-09
3. Nitride based transistors with fabrication methods and regrowth ohmic contact region of the nitride based transistors having regrown ohmic contact regions [P] . 日本专利： JP5160225B2 . 2013-03-13

机译：具有制造方法的基于氮化物的晶体管以及具有再生长的欧姆接触区的基于氮化物的晶体管的再生长欧姆接触区
4. Nitride-based transistor having a manufacturing method and a re-growth of the ohmic contact region of the nitride-based transistor having a re-growth of the ohmic contact region [P] . 韩国专利： KR20070032701A . 2007-03-22

机译：具有制造方法的氮化物基晶体管和具有欧姆接触区的重新生长的氮化物基晶体管的欧姆接触区的重新生长
5. Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions and nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions [P] . 美国专利： US2005258451A1 . 2005-11-24

机译：具有重新生长的欧姆接触区域的基于氮化物的晶体管的方法以及具有重新生长的欧姆接触区域的基于氮化物的晶体管的方法

获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号