移动加热器法生长CdMnTe晶体的性能研究

摘要

采用垂直布里奇曼法（VB）生长CdMnTe晶体，由于生长温度高、堆垛层错能低、热应力大等因素，晶体中存在大量孪晶、杂质、夹杂相等，限制其在核辐射探测器方面的应用。为了提高晶体的质量，本文采用移动加热器法（travelling heater method，THM）生长CdMnTe晶体，对该方法生长的晶体中Mn的轴向分布、杂质浓度、Te夹杂和电学性能进行测试分析，并与VB法生长的晶体作对比。结果表明THM法生长的CdMnTe晶体中Mn的轴向分布均匀，杂质浓度低于VB法制得的晶体，Te夹杂的尺寸5～25μm，浓度10^3cm^-3，电阻率为10^9-10^10Ω·cm，导电类型为弱n型，制备的探测器在室温下对蝴Am放射源有能谱响应。实验表明THM法生长的CMT晶体在晶体质量和电学性能方面明显优于VB法。