一种在闪存芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法

摘要

本发明提出一种在Flash芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法，该方法包括：步骤1：对Flash芯片进行层间介质沉积；步骤2：用一块光罩打开源极的区域，而后沉积一层多晶硅；步骤3：把多晶硅蚀刻到浮动阈值以下，然后进行植入掺杂；步骤4：把源极打开的区域用磷硅玻璃填起来，然后进行化学机械抛光；步骤5：做触点蚀刻，利用氧化物/多晶硅蚀刻的高选择比，使其停在源极的多晶硅上。本发明提出的方法和传统方法相比，多了步骤2、3和4，这样能够缩小源极和控制栅之间的距离，有效减小Flash芯片面积。