首页> 中国专利> 一种CMOS片上三维微型磁检测传感器的霍尔传感单元

一种CMOS片上三维微型磁检测传感器的霍尔传感单元

摘要

本发明涉及一种CMOS片上三维微型磁检测传感器的霍尔传感单元,其特征在于包括至少一个用于检测Z方向磁感应分量的水平霍尔器件和若干个用于检测X和Y方向磁感应分量的垂直霍尔器件,所述水平霍尔器件与垂直霍尔器件通过分布组合的方式设于CMOS片上。有益效果为:能够在100um*100um以内的芯片上以低成本实现精确测量某点磁通量密度B矢量的大小和方向;还能把信号调理电路与传感单元以最近的方式连接,对降低噪声和提高灵敏度极其有利;同时能把数字信号处理部分集成在同一芯片内。

著录项

  • 公开/公告号CN103698721A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京大学;

    申请/专利号CN201310738425.8

  • 发明设计人 潘红兵;何书专;李丽;

    申请日2013-12-30

  • 分类号

  • 代理机构南京汇盛专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人陈扬

  • 地址 210093 江苏省南京市汉口路22号南京大学蒙民伟楼612室

  • 入库时间 2024-02-19 22:44:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-28

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01R33/07 申请公布日:20140402 申请日:20131230

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R33/07 申请日:20131230

    实质审查的生效

  • 2014-04-02

    公开

    公开

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