公开/公告号CN102253608B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-09-05
原文格式PDF
申请/专利权人 常州瑞择微电子科技有限公司;
申请/专利号CN201010176627.4
申请日2010-05-19
分类号
代理机构常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙);
代理人金辉
地址 213022 江苏省常州市长江中路25号A座316
入库时间 2022-08-23 09:11:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-09-05
授权
授权
2012-01-04
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/32 申请日:20100519
实质审查的生效
2011-11-23
公开
公开
机译: 去除光刻胶掩模的方法,该光刻胶掩模用于在低K碳掺杂的氧化硅介电材料中制作通孔,并去除通孔形成中的蚀刻残留物并去除光刻胶掩模
机译: 去除光刻胶掩模的方法,该光刻胶掩模用于在低K碳掺杂的氧化硅介电材料中制作通孔,并去除通孔形成中的蚀刻残留物并去除光刻胶掩模
机译: 从光致交联的光刻胶掩模上去除涂层的方法