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一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺

摘要

本发明公开了一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺,首先形成第一层牺牲层,然后沉积并刻蚀形成第二层牺牲层,其图形与所需电极引线互补;然后去除第一层牺牲层,之后溅射金属层。最后去除第二层牺牲层,得到所需金属电极引线图形。本发明的方法不受光刻胶限制,可获得大规模非制冷红外探测器所需的极细电极引线图形。同时,该方法不存在湿法刻蚀工艺中对图形的过刻,从而可以保证图形边缘的整齐。此外,该方法避免了使用昂贵的CMP工艺。

著录项

  • 公开/公告号CN103560083A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-02-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201310573377.1

  • 发明设计人 黎威志;王洪;卢斐;徐洁;

    申请日2013-11-18

  • 分类号H01L21/321;G03F7/00;G03F7/42;

  • 代理机构成都华典专利事务所(普通合伙);

  • 代理人徐丰

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2024-02-19 22:23:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-30

    授权

    授权

  • 2014-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/321 申请日:20131118

    实质审查的生效

  • 2014-02-05

    公开

    公开

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