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氢化非晶硅纳米线阵列的制备方法

摘要

一种氢化非晶硅纳米线阵列的制备方法,包括:氢化非晶硅薄膜制备步骤,用于在玻璃衬底上制备氢化非晶硅薄膜;氢化非晶硅纳米线阵列制备步骤,用于利用化学腐蚀方法将氢化非晶硅薄膜制备成氢化非晶硅纳米线阵列。在氢化非晶硅薄膜制备步骤中,首先对玻璃衬底进行清洗;然后将清洗过的玻璃衬底放进磁控溅射设备中,利用磁控溅射设备在玻璃衬底上面制备氢化非晶硅薄膜。在氢化非晶硅纳米线阵列制备步骤中,首先利用耐强酸树脂将未形成氢化非晶硅薄膜的衬底背面、以及氢化非晶硅薄膜周围密封,仅裸露形成有氢化非晶硅薄膜的面,然后浸入H2SO4和H2O2的混合溶液中,再浸入HF溶液中去除表面氧化物;再浸入AgNO3和HF混合的溶液,此后取出后用去离子水冲洗。

著录项

  • 公开/公告号CN103560180A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-02-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海电机学院;

    申请/专利号CN201310573301.9

  • 发明设计人 王相虎;

    申请日2013-11-15

  • 分类号H01L31/20(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑玮

  • 地址 200240 上海市闵行区江川路690号

  • 入库时间 2024-02-19 22:23:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-06

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/20 申请公布日:20140205 申请日:20131115

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/20 申请日:20131115

    实质审查的生效

  • 2014-02-05

    公开

    公开

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