法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-03
专利权的转移 IPC(主分类):C23C14/34 登记生效日:20200313 变更前: 变更后: 申请日:20131227
专利申请权、专利权的转移
2016-05-25
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C14/34 变更前: 变更后: 申请日:20131227
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-02-24
授权
授权
2014-04-30
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20131227
实质审查的生效
2014-04-02
公开
公开
技术领域
本发明涉及CIGS太阳能电池的制备,具体说是柔性CIGS太阳能电池吸收层和缓冲层的制备方法。
背景技术
现有的CIGS(铜铟镓硒)太阳能电池包括基板,基板材料可包括玻璃、铝、不锈钢、聚合物或任何具相似可挠性的金属及塑料,在基板表面沉积有数层薄膜。首先,基板上沉积有碱硅酸盐层。一般而言,来自碱硅酸盐层的钠穿过底部电极层至吸收层,增加电池效率;接着,含有钼(Mo)的底部电极层溅射至碱硅酸盐层上,在底部电极层上沉积有吸收层,吸收层上沉积有缓冲层,缓冲层是由硫化镉(CdS)组成。硫化镉具有毒性。由氧化锌(ZnO)组成的快闪层溅镀形成于缓冲层上。快闪层用于防止太阳能电池在进行发电过程中,因Shunting及薄膜针孔(pinhole)的问题导致CIGS薄膜效能下降;最后,由铝掺杂氧化锌所构成的顶部电极层是溅射于快闪层上。
其中,CIGS吸收层是太阳能电池的核心部分,吸收层的制备方法如多元共蒸法和磁控溅射后硒化法。共蒸法由于采用四种不同的元素各具有不同的熔点,使得要控制整比化合物在大型基板上的形成是很困难的。目前,市场上出现有一种通过溅射法直接制备吸收层和缓冲层的方法,其采用的方法是使基板圆周运行,在圆周外通过溅射法使基板上形成吸收层和缓冲层。这种方法由于采用的是水平溅射,由于重力的作用,其在基板上沉积的吸收层和缓冲层不够均匀,影响电池的质量。
发明内容
针对上述技术问题,本发明提供一种沉积较均匀、可连续制备吸收层和缓冲的方法。
本发明解决上述技术问题采用的技术方案是:溅射法制备柔性太阳能电池CIGS吸收层和缓冲层的方法,其包括以下步骤:
(1)制备吸收层靶材和缓冲层靶材;
(2)将上述两靶材和对应的溅射源置于加热的真空室内;
(3)在两靶材下侧设置工作台,含有钼电极层的基板可沿工作台移动;
(4)基板沿工作台正向移动时,溅射源由上向下轰击吸收层靶材,使钼电极层上沉积吸收层;
(5)吸收层沉积完成后,基板沿工作台反向移动,溅射源由上向下轰击缓冲层靶材,使吸收层上沉积缓冲层。
进一步地,所述吸收层靶材和缓冲层靶材设置于同一个旋转体上,旋转体内设有溅射源,通过转动旋转体切换吸收层靶材和缓冲层靶材。
进一步地,所述吸收层靶材由CIGS粉末压制而成。
进一步地,将CuCl2、InCl3、GaCl3、Na2Se加入乙二胺中反应合成CIGS粉末。
本发明与现有技术相比具有如下优点:
1、本发明采用靶源沉积吸收层,不仅可进行大面积的生产,而且成膜质量高;
2、采用由上向下的溅射法沉积吸收层与缓冲层,避免了因重力的影响使得沉积不够均匀的现象。
3、采用可切换的靶材方式,配合基板的正、反向运动,以沉积吸收层和缓冲层,提高了生产效率。
具体实施方式
下面详细介绍本发明:
本发明的方法包括以下步骤:
(1)制备吸收层靶材和缓冲层靶材;
在制备吸收层靶材时,首先将CuCl2、InCl3、GaCl3、Na2Se加入乙二胺中搅拌,乙二胺可吸收合成反应所释放的多余热量,并可增加前驱盐在溶剂中的溶解度,从而使反应更完全;通过上述化合物进行反应,从而合成CIGS粉末,且CIGS的粒径较为均匀;然后将粉末压制成吸收层靶材,这种方式可使靶材的致密度可达90%以上。本发明的缓冲层靶材采用现有的CdS靶材。
(2)将上述两靶材和对应的溅射源置于加热的真空室内,使得溅射在真空中进行,并通过加热器进行加热,维持适当的温度条件;溅射源采用等离子化的惰性气体,如通过离化器使氩气生成等离子带电体等;溅射源通过轰击靶材,使相应的成分沉积在基板上。
(3)在两靶材下侧设置工作台,含有钼电极层的基板可沿工作台移动;工作台支撑基板,同时可通过滚子等现有装置使基板沿工作台正反向移动。
(4)基板沿工作台正向移动时,吸收层靶材位于基板正上方,溅射源由上向下轰击吸收层靶材,使钼电极层上沉积吸收层;
(5)吸收层沉积完成后,基板沿工作台反向移动,此时应将吸收层靶材切换成缓冲层靶材,使缓冲层靶材位于基板正上方,从而通过溅射源由上向下轰击缓冲层靶材,使吸收层上沉积缓冲层。
本方法由于采用向由上向下的溅射法沉积吸收层与缓冲层,避免了因重力的影响使得沉积不够均匀的现象,不仅可连续制备吸收层和缓冲层,生产效率高;而且成膜质量高。
在本发明中,为了实现吸收层靶材和缓冲层靶材的切换,可将吸收层靶材和缓冲层靶材设置于同一个旋转体上,旋转体内设有溅射源,溅射源透过旋转体轰击靶材,并通过转动旋转体切换吸收层靶材和缓冲层靶材。这种方式节约空间,降低生产成本。当然,也可以采用其他的方式实现。
上述实施方式仅供说明本发明之用,而并非是对本发明的限制,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明精神和范围的情况下,还可以作出各种变化和变型,因此所有等同的技术方案也应属于本发明的范畴。
机译: CIGS吸收层的制备方法和包括CIGS吸收层的太阳能电池
机译: CIGS吸收体层的制造方法以及包括该cigs吸收体层的太阳能电池
机译: CIGS薄膜太阳能电池的CIGS薄膜型吸收层制造方法的CIGS制造方法及薄膜太阳能电池