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铁电晶体膜、电子元件、铁电晶体膜的制造方法和铁电晶体膜的制造装置

摘要

本发明提供一种籽晶膜的取向得到良好地转印,并且具有适于量产的成膜速度的铁电晶体膜的制造方法。一种铁电晶体膜的制造方法,其特征在于,在基板(10)上通过溅射使籽晶膜(14)进行外延生长并形成,在所述籽晶膜上通过旋涂涂布法形成含有铁电体材料的非晶膜,在氧气氛中加热所述籽晶膜和所述非晶膜,由此使所述非晶膜氧化而晶体化,从而形成铁电体涂布烧结晶体膜(15)。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-11

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/64 申请公布日:20131218 申请日:20121122

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-01-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/64 申请日:20121122

    实质审查的生效

  • 2013-12-18

    公开

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