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通过将多孔硅转变成多孔金属或陶瓷来制作微结构的方法

摘要

提出了一种用于制作微结构(100)的方法。该方法从提供具有主表面的硅衬底(102)的步骤开始。然后形成从主表面延伸到硅衬底中的多孔硅层(103)。通过选择性地刻蚀多孔硅层以获得一组多孔硅的突出的微元件(112)而继续该方法;每个突出的微元件从硅衬底的剩余部分(106)突出,由此露出相应的外表面。然后处理突出的微元件以便获得一组相应的导电微元件(115)或绝缘微元件(115′);通过将多孔硅的至少普遍的部分(从外表面延伸到相应的突出的元件中)分别转变成多孔金属或陶瓷来获得每个导电微元件或绝缘微元件。

著录项

  • 公开/公告号CN102037560B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-09-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RISE技术有限责任公司;

    申请/专利号CN200980117012.X

  • 发明设计人 M·布鲁卡尼;

    申请日2009-03-18

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人屠长存

  • 地址 意大利罗马

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/367 授权公告日:20120926 终止日期:20150318 申请日:20090318

    专利权的终止

  • 2012-09-26

    授权

    授权

  • 2011-06-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/367 申请日:20090318

    实质审查的生效

  • 2011-04-27

    公开

    公开

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