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具有等离子体共振散射响应的纳米孔芯片的制备方法

摘要

本发明具有等离子体共振散射响应的纳米孔芯片的制备方法,其步骤包括:⑴芯片基材的选择,选择硅片为基材,在硅片正面沉积绝缘材料,反面没有绝缘材料;⑵利用湿法刻蚀法在硅片反面刻蚀正方形区域,直到纳米孔芯片薄膜在这一面裸露;⑶纳米孔刻蚀,利用聚焦离子束或聚焦电子束轰击纳米孔芯片薄膜,在纳米孔芯片薄膜上形成纳米小孔;⑷贵金属修饰,利用磁控溅射仪使纳米孔芯片薄膜表面镀上一层贵金属层。本发明的制备方法步骤简单,尺寸可控,成本较低;通过在纳米孔上的贵金属修饰,制备了一种同时具有光电响应纳米孔芯片,该纳米孔芯片能发生等离子体共振耦合现象,从而对光谱信号产生放大作用,可用于纳米孔电化学检测的较多领域。

著录项

  • 公开/公告号CN103512869A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华东理工大学;

    申请/专利号CN201310471454.2

  • 发明设计人 龙亿涛;顾震;李萌;应佚伦;周浩;

    申请日2013-10-11

  • 分类号G01N21/63;

  • 代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人翟羽

  • 地址 200237 上海市徐汇区梅陇路130号

  • 入库时间 2024-02-19 21:44:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-08

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01N21/63 申请公布日:20140115 申请日:20131011

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-02-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/63 申请日:20131011

    实质审查的生效

  • 2014-01-15

    公开

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