利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点外延片及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点发光电器件外延片，包括一具有原子台阶的衬底，所述衬底上生长有N型层，所述N型层与所述衬底具有相同的原子台阶，所述N型层上方生长形成有源区，所述有源区上设置有P型层，所述原子台阶为规则递增型台阶。所述斜切角大于0.05°小于10°；本发明通过衬底表面的原子台阶控制量子点的分布，而应用原子台阶形成的斜切角角度变化，可制备出不同宽度和密度的InGaN量子点有源区，以适应更多的需求。