一种利用等离子体增强原子层淀积工艺制备超薄钌薄膜的方法

摘要

本发明属于超大规模集成电路铜互连工艺技术领域，具体涉及一种利用等离子体增强原子层淀积工艺制备超薄钌薄膜的方法。本发明利用等离子体增强原子层淀积工艺，以双(乙基环戊二烯基)钌(II)为前驱体，通过调节氧气等离子体的曝光时间来得到纯钌金属。等离子体增强原子层淀积工艺可以在纳米级精确地控制钌薄膜的生长厚度，而钌薄膜具有与铜良好的黏附性和电镀时不溶于铜的优良特性，能够避免沟槽和通孔产生空洞，实现无籽晶铜电镀。