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适用于TFT液晶显示器的液晶介质

摘要

本发明公开了一种适用于TFT液晶显示器的液晶介质,包含式I所示的组分A的介电正性化合物,还可以包含通式III所示的组分B的介电正性化合物,进一步的还可以包含由通式II所示的介电正性化合物和/或通式IV所示的介电中性组分C的电中性化合物,同时另外添加上述液晶介质的质量之和的0~0.4%的旋光性化合物。本发明具有低粘度、快响应时间、适当的光学各向异性和介电各向异性以及优异的耐高温特性,特别适用于制造快速响应的有源矩阵TN-TFT、IPS-TFT或FFS液晶显示元件和液晶显示器。

著录项

  • 公开/公告号CN103351871A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-10-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 石家庄诚志永华显示材料有限公司;

    申请/专利号CN201310285703.9

  • 申请日2013-07-09

  • 分类号C09K19/30(20060101);C09K19/44(20060101);C09K19/12(20060101);C09K19/20(20060101);C09K19/34(20060101);C09K19/46(20060101);

  • 代理机构石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张明月

  • 地址 050091 河北省石家庄市新石北路362号

  • 入库时间 2024-02-19 19:59:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-09-09

    授权

    授权

  • 2013-11-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09K19/30 申请日:20130709

    实质审查的生效

  • 2013-10-16

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶组合物,尤其涉及一种适用于TFT液晶显示器的液晶介 质。

背景技术

近几十年来,随着信息技术的飞速发展以及人们对信息显示方式的不断追 求,液晶显示得到了迅猛的发展。

液晶显示器件根据显示方式分为下列模式:扭曲向列相(TN)模式、面内 切换(IPS)或边缘场切换(FFS)、垂直配向(VA)模式。无论何种显示模式均 需要所使用的液晶介质具有以下特性,

(1)化学、物理性质稳定;

(2)粘度低;

(3)具有合适的△ε;

(4)合适的拆射率△n;

(5)与其他液晶化合物的相溶性好。

此外,不同驱动模式的液晶显示器件对所使用的液晶介质还有其各自的特 殊要求,其中适用于薄膜晶体管阵列(TFT)驱动的液晶介质还应具有以下要求:

(1)超高纯度(电阻率>1013Ω.cm);

(2)阈值电压随温度变化小;

(3)具有良好的稳定性以及高电荷保持率。

二氟甲氧桥类液晶由于具有较低的粘度(η),尤其是具有较低的旋转粘度 (γ1)、大介电各项异性(△ε)、阈值电压随温度变化小、高电阻率、高电荷保持 率等特点,是TFT-LCD用液晶介质的主要成分。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是提供一种适用于TFT液晶显示器的、具有高 电荷保持率、低功耗和旋转粘度、快响应速度的液晶介质。

为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:

适用于TFT液晶显示器的液晶介质,包含式I所示的组分A的介电正性化 合物,

所述式I所示的组分A的介电正性化合物的含量按质量百分比计为 1%~35%。

由于采用了上述技术方案,本发明所取得的技术进步在于:

本发明适用于TFT液晶显示器的液晶介质性能优异,具有非常短的响应时 间、较大的介电各向异性、高的电阻率和电压保持率、低的旋转粘度、适当的 光学各向异性,适用于有源矩阵寻址的光电显示器。通过对液晶介质中各个组 分含量的调整,本发明适用于TFT液晶显示器的液晶介质还具有不同阈值电压 和双折射特性,可在不同液晶盒厚和不同驱动电压下使用。此外,本发明适用 于TFT液晶显示器的液晶介质在高温后仍具有高的电阻率和电压保持率,具有 优异的耐高温和紫外稳定性能。

本发明组分A为式I所示的环戊烷二氟亚甲基醚类化合物,所述化合物不 但具有液晶化合物所必需的一般物理性质,即对光、热稳定,向列相较宽,与 其他化合物相溶性好,而且所述化合物还具有低旋转粘度γ1和大介电各向异性 (△ε>0)的特性,可以有效地降低液晶介质的阈值电压,加快液晶介质的响应 时间,同时还可改善液晶介质的低温互溶性。

本发明适用于TFT液晶显示器的液晶介质具有降低阀值电压和响应时间的 效果,尤其适用于制造快速响应的有源矩阵TN-TFT、IPS-TFT或FFS-TFT液晶 显示元件和液晶显示器。

具体实施方式

在以下的实施例中所采用的各化合物,均可以通过公知的方法进行合成或 者通过商业途径获得,所得各液晶化合物经测试符合电子类化合物标准。在以 下的实施例中液晶介质的制备是按照公知的常规方法进行的,如采取加热、超 声波、悬浮等方式按照规定比例混合制得。

本说明书中的百分比为质量百分比,温度为摄氏度(℃),其他符号的具体 意义及测试条件如下:

Cp(℃)表示液晶的清亮点;S-N表示液晶的晶态到向列相的熔点(℃); △n为光学各向异性,ne为非寻常光的折射率,测试条件为:589nm,25℃;△ ε为介电各向异性,△ε=ε∥-ε⊥,其中,ε∥为平行于分子轴的介电常数,ε⊥为 垂直于分子轴的介电常数,测试条件为:25℃、INSTEC:ALCT-IR1、20微米平 行盒;τ为响应时间(ms),测试仪器为DMS-501,测试条件为:25±0.5℃,测 试盒4.0微米TN左旋盒;K3为展曲弹性常数,K1为扭曲弹性常数,γ1为旋转 粘度(mPa·s),测试条件为:25℃、INSTEC:ALCT-IR1、20微米平行盒,未添 加手性剂;V10为液晶的光学阈值电压(v),V90为液晶的饱和电压值(v), 测试条件为:25℃,4.0微米TN左旋盒。

本发明适用于TFT液晶显示器的液晶介质包含式I所示的组分A的介电正 性化合物,还可以包含通式III所示的组分B的介电正性化合物,进一步的还可 以包含由通式II所示的介电正性化合物和/或通式IV所示的介电中性组分C的 电中性化合物,

其中:

的其中一种;

X2、X3是氢、卤素、碳原子数为1~3的卤化烷基、碳原子数为1~3的烷氧 基、碳原子数为2~3的卤化链烯基、碳原子数为2~3的链烯氧基的其中一种;

R2、R3、R41、R42是碳原子数为1~7的烷基、碳原子数为1~7的烷氧基、碳 原子数为2~7的链烯基、碳原子数为2~7的链烯氧基的其中一种,或者碳原子 数为1~7的烷基、碳原子数为1~7的烷氧基、碳原子数为2~7的链烯基、碳原 子数为2~7的链烯氧基中的一个或多个氢被氟取代后所形成的基团的其中一种;

L21、L22、L31、L32是-H或-F;

Z3、Z41、Z42为-CH2-、-CH2-CH2-、-CH2CF2-、-COO-、反式-CH=CH-、反 式-CF=CF-、-CH2O-或单键的其中一种;

m、n、o、p为0或1的其中任一数值;

b是0、1或2的其中任一数值。

配制液晶介质时,是将质量百分比为1%~35%的式I所示的组分A的介电 正性化合物、质量百分比为1%~90%的通式III所示的组分B的介电正性化合物、 质量百分比为0~40%的通式II所示的介电正性化合物、质量百分比为0~80% 的通式IV所示的介电中性化合物混合,最终使液晶组合物中式I~通式IV所示 的化合物的质量百分比之和为100%。然后再向液晶介质中添加旋光性化合物, 旋光性化合物的加入量为液晶介质中式I~通式IV所示的化合物的质量之和的 0~0.4%。

本发明的液晶介质的优选配比为:式I所示的组分A的介电正性化合物的 含量按质量百分比计为1%~30%,通式III所示的组分B的介电正性化合物的含 量按质量百分比计为8%~85%,通式II所示的介电正性化合物的含量按质量百 分比计为2%~30%,通式IV所示的介电中性化合物的含量按质量百分比计为 10%~60%;并且所述适用于TFT液晶显示器的液晶介质中式I~通式IV所示的 化合物的质量百分比之和为100%,另外添加0~0.4%的所述式I~通式IV所示的 化合物的质量之和的旋光性化合物。

本发明的液晶介质的最优选配比为:式I所示的组分A的介电正性化合物 的含量按质量百分比计为3%~20%,通式III所示的组分B的介电正性化合物的 含量按质量百分比计为10%~50%,通式II所示的介电正性化合物的含量按质量 百分比计为5%~25%,通式IV所示的介电中性化合物的含量按质量百分比计为 20%~50%;并且所述适用于TFT液晶显示器的液晶介质中式I~通式IV所示的 化合物的质量百分比之和为100%,另外添加0~0.4%的所述式I~通式IV所示的 化合物的质量之和的旋光性化合物。

上述的适用于TFT液晶显示器的液晶介质中通式II所示的介电正性化合物、 通式III所示的组分B的介电正性化合物、通式IV所示的介电中性化合物可以 优选下式中的化合物,下式中优选的X2、X3是-H、-Cl、-F、-OCF3、-CF3、-CHF2、 -CH2F、-OCHF2的其中一种,(F)为-H或-F;并且-F为(F)的最佳选择,-F或-OCF3为X2、X3的最佳选择;

下面结合具体实施例对本发明做进一步详细描述。下面的实施例1~12分 别取式I、通式II、通式III、通式IV所示的化合物,并按上述质量百分比配制 成液晶介质,并在此基础上再加入旋光性化合物。将配制好的液晶介质填充于 液晶显示器两基板间进行性能测试。具体化合物的单体结构、用量(质量百分 比)、所得的液晶介质的性能参数测试结果均列于表中。表1~12对应实施例1~ 12。

表1实施例1的液晶介质配方及其测试性能参数

由实施例1的性能参数可知,本液晶介质具有高清亮点、大折射率、低的 旋转粘度和适当的介电各向异性,非常适用于快速响应的IPS-TFT和FFS-TFT 显示器。

表2实施例2的液晶介质配方及其测试性能参数

由实施例2的性能参数可知,本液晶介质具有大的双折射率、高的清亮点、 低的旋转粘度、适当的介电各向异性,非常适用于IPS-TFT和FFS-TFT显示器。

表3实施例3的液晶介质配方及其测试性能参数

由实施例3的性能参数可知,本液晶介质具有大的双折射率、高的清亮点、 低的旋转粘度、适当的介电各向异性,非常适用于IPS-TFT和FFS-TFT显示器。

表4实施例4的液晶介质配方及其测试性能参数

由实施例4的性能参数可知,本液晶介质具有适当的清亮点、适中的阀值 电压、低的旋转粘度和快的响应时间,适用于Notebook等中尺寸TN-TFT液晶 显示器。

表5实施例5的液晶介质配方及其测试性能参数

由实施例5的性能参数可知,本液晶介质具有适当的清亮点、适中的阀值 电压、低的旋转粘度和快的响应时间,适用于TV等大尺寸TN-TFT显示器。

表6实施例6的液晶介质配方及其测试性能参数

由实施例6的性能参数可知,本液晶介质具有较高的清亮点、较低的阀值 电压、低的旋转粘度和快的响应时间,适用于mobilephone等小尺寸的TN-TFT 显示器。

表7实施例7的液晶介质配方及其测试性能参数

由实施例7的性能参数可知,本液晶介质具有适中的双折射率、适当高的 介电各向异性、较高的清亮点、很低的旋转粘度、很快的响应时间,适用于快 速响应的IPS-TFT显示器。

表8实施例8的液晶介质配方及其测试性能参数

由实施例8的性能参数可知,本液晶介质具有适中的清亮点、较低的阀值 电压、很低的旋转粘度、较快的响应时间,适用于TN-TFT显示器。

表9实施例9的液晶介质配方及其测试性能参数

由实施例9的性能参数可知,本液晶介质具有大的双折射率、高的清亮点、 适中的阀值电压、很低的旋转粘度、很快的响应时间,适用于快速响应的 TN-TFT、IPS-TFT显示器。

表10实施例10的液晶介质配方及其测试性能参数

由实施例10的性能参数可知,本液晶介质具有较低的双折射率、较大的正 介电各向异性、较高的清亮点、很低的旋转粘度,适用于IPS-TFT显示器。

表11实施例11的液晶组合物配方及其测试性能参数

由实施例11的性能参数可知,本液晶组合物具有较大的双折射率、适当高 的正介电各向异性、较高的清亮点、适中的旋转粘度,适用于IPS-TFT显示器。

表12实施例12的液晶组合物配方及其测试性能参数

由实施例12的性能参数可知,本液晶组合物具有适中的双折射率、适当高 的正介电各向异性、较高的清亮点、较低的阀值电压、很低的旋转粘度,适用 于快速响应的IPS-TFT、TN-TFT显示器。

由实施例1~实施例12可知,本液晶介质具有良好的低温稳定性、低的旋转 粘度,且在低温区域可维持快的响应时间,极大拓宽了TN、IPS或者FFS液晶 模式的使用温度,并且具有较快的响应时间和较宽的视角范围,非常适用于TN、 IPS和FFS显示器。

本发明虽然仅仅列举了上述12个实施例的具体物质和质量百分比配比,并 对组成的液晶介质的性能进行了测试,但是本发明的液晶介质可以在上述实施 例的基础上,利用本发明所涉及的式I和通式II、III、IV所代表的化合物、以 及式I和通式II、III、IV的优选的化合物进行进一步拓展和修改,均能达到本 发明的目的。

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