氦氧饱和高气压条件下细菌暴露生长模型生长舱室及应用

摘要

本发明公开了一种氦氧饱和高气压条件下细菌暴露生长模型生长舱室及应用，所述生长舱室，⑴细菌饱和暴露时，氧分压为40～50KPa；⑵细菌饱和暴露时，二氧化碳分为0.40～0.50KPa；⑶细菌饱和暴露时，温度为30～35℃；⑷细菌饱和暴露时，湿度为50～60%；⑸细菌饱和暴露时，气密性要求4.6MPa保压24小时泄漏率不大于1%；⑹细菌饱和暴露时，气体洁净度要求18～24小时保压，无其他气源检出。本发明提供了氦氧饱和高气压环境下细菌暴露稳定生长模型的建立方法；并以铜绿假单胞菌为模式菌建立了高压暴露细菌模型。该方法可用于氦氧饱和条件下细菌致病生理学研究模型的建立，为该环境中细菌职业性感染高发的机制研究、预防控制技术的建立提供了有效手段。