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一种高动态范围低噪声的CMOS 传感器芯片

摘要

一种高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片,其包括:电源单元及其与该电源单元连通的光强检测单元、采样单元、积分单元和反馈检出单元,以及位切换控制单元,其中:所述光强检测单元包括光强检测模组、复位模组和计数存储位模组,所述光强检测模组在达到积分触发时间后,藉由该复位模组对该光强检测模组的电压进行复位,并通过该计数存储位模组来记录并存储该时间内积分触发的次数,藉由此等形状、结构及其连接关系的结合,实现了该高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片的设计构造。

著录项

  • 公开/公告号CN103139491A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-06-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天利半导体(深圳)有限公司;

    申请/专利号CN201310096801.8

  • 申请日2013-03-25

  • 分类号H04N5/357;H04N5/374;H04N5/3745;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区科技园南区高新南一道中国科技开发院3号塔楼7楼

  • 入库时间 2024-02-19 19:33:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-25

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H04N5/357 申请公布日:20130605 申请日:20130325

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-07-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04N5/357 申请日:20130325

    实质审查的生效

  • 2013-06-05

    公开

    公开

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