测试γ辐照后GaAs HBT器件性能的方法

摘要

本发明公开了一种测试γ辐照后GaAs HBT器件性能的方法，主要解决现有方法的实验复杂，难度大，耗时长，不具有普遍性的问题。其实现步骤为：1）用ADS软件分析电路，确定器件的敏感参数；2）辐照前器件测试；3）对器件进行辐照实验；4）辐照后器件测试；5）对比实验前后器件性能及数据的差异，改变GaAs HBT器件等效电路中的参数，建立辐照后GaAs HBT器件的新等效电路。6）将这个新的等效电路嵌入回射频集成电路仿真软件ADS的GaAs HBT器件模型库中，以实现使用计算机对GaAs HBT器件以及由该器件组成的电路进行抗辐照特性分析,提高辐照实验的通用性，减小辐照实验对人体的危害。