一种InGaN基蓝光LED器件及其制备方法

摘要

本发明属于光电子技术领域，特别是涉及一种InGaN基蓝光LED器件，其结构自衬底向上依次为：半球状表面的图形化蓝宝石衬底、本征GaN层、n型GaN层、数个周期的InGaN/InGaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层，其中，在n型GaN层上设有负电极，p型GaN层上覆盖有ITO薄膜并设有正电极。本发明通过采用将空洞间隙结构和InGaN/InGaN多量子阱层结合，大大提高了LED的外量子效率。