一种半导体芯片及其压焊块金属层增厚制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体芯片及其压焊块金属层增厚制作方法，用以简化压焊块金属层增厚制作工艺，降低制作成本。所述压焊块金属层增厚制作方法包括：在硅衬底上生长第一金属层；对所述第一金属层进行光刻及刻蚀，获得包括金属熔丝和压焊块的金属走线；在所述金属走线上生长钝化层；对所述钝化层进行第一次光刻及刻蚀，获得露出压焊块区域的第一窗口；在具有所述第一窗口的钝化层上生长第二金属层；对所述第二金属层进行光刻及刻蚀，获得只覆盖压焊块区域的金属层，露出非压焊块区域的钝化层；对所述非压焊块区域的钝化层进行第二次光刻及刻蚀，获得露出金属熔丝区域的第二窗口。