法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-09
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/772 申请公布日:20130501 申请日:20130104
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-06-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/772 申请日:20130104
实质审查的生效
2013-05-01
公开
公开
机译: 电可擦可编程只读存储单元,其公共源区具有轻掺杂的漏极结构,其杂质区的掺杂物浓度高于双扩散漏极结构的区域
机译: 场效应晶体管结构重掺杂的源/漏区和轻掺杂的源/漏区
机译: 场效应管N沟道MOSFET器件,曾经是电子设备的可编程存储单元,其源极的掺杂比漏极高,其中从沟道到漏极的掺杂杂质浓度梯度很高