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一种电子型氮化镓n-GaN薄膜及其制备方法

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一种电子型氮化镓n-GaN薄膜，其化学分子式为GaN，导电类型为n型，即Si掺杂电子型，厚度为0.6-1μm；其制备方法是：在MOCVD沉积系统的进样室中，对衬底表面进行表面等离子体清洗，然后在沉积室中采用MOCVD工艺在衬底表面沉积Si掺杂氮化镓薄膜。本发明的优点是：该电子型氮化镓n-GaN薄膜对应于太阳光谱具有几乎完美的匹配带隙，且其吸收系数高，载流子迁移率高、抗辐射能力强，将其用作氮铟镓In

著录项

公开/公告号CN103147064A

专利类型发明专利
公开/公告日2013-06-12

原文格式PDF
申请/专利权人天津理工大学;
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申请/专利号CN201310107937.4
发明设计人薛玉明;宋殿友;潘宏刚;朱亚东;刘君;尹富红;辛治军;冯少君;尹振超;张嘉伟;刘浩;
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申请日2013-03-29
分类号C23C16/34;C30B29/38;C30B25/02;
代理机构天津佳盟知识产权代理有限公司;
代理人侯力
地址 300384 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区
入库时间 2024-02-19 18:48:14

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-07-08

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/34 申请公布日:20130612 申请日:20130329

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-07-17

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/34 申请日:20130329

实质审查的生效
2013-06-12

公开

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