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含萘[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑的有机半导体材料及其应用

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本发明涉及含萘[1，2-c：5，6-c]二[1，2，5]噻二唑的有机半导体材料及其应用。所述有机半导体材料可通过将萘[1，2-c：5，6-c]二[1，2，5]噻二唑卤化后得到的卤化衍生物与含芳香基团结构的单体在金属催化剂下反应制得，芳香基团与萘[1，2-c：5，6-c]二[1，2，5]噻二唑单元以共轭方式连接。该类有机半导体材料的具体特征是含有3，7位取代修饰的萘[1，2-c：5，6-c]二[1，2，5]噻二唑化学基团。由于萘[1，2-c：5，6-c]二[1，2，5]噻二唑具有良好的吸电子能力以及平面性，这类有机半导体材料可以很好的调节光电性质，具有良好的光电性能，可应用于有机光电器件领域。

著录项

公开/公告号CN102060982B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-08-22

原文格式PDF
申请/专利权人华南理工大学;
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申请/专利号CN201010575067.X
发明设计人黄飞;曹镛;王明;
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申请日2010-12-03
分类号
代理机构
代理人
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2022-08-23 09:11:13

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-08-22

授权

授权
2011-07-20

实质审查的生效 IPC(主分类):C08G 61/12 申请日:20101203

实质审查的生效
2011-05-18

公开

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