RRC 过程和EBR 过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备

摘要

本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1-C5非基于醚的烷基。

说明书

相关申请的交叉引用 

将2011年9月22日在韩国知识产权局提交且题为“RRC过程用的稀释剂组合物、用于供应其的设备、和EBR过程用的稀释剂组合物”的韩国专利申请No.10-2011-0095814通过引用全部并入本文。 

技术领域

实施方案涉及减胶涂覆(抗蚀剂减少的涂覆，resist reduced coating，RRC)过程用的稀释剂组合物。 

背景技术

随着导致更小特征(feature)的电子器件设计准则(design rule)的减小化(decrease)，已经考虑用于电子器件的制造的更小图案。为此，远紫外(EUV)光刻术(lithography)光刻胶(光致抗蚀剂，photoresist)可用于制造半导体器件。 

发明内容

根据一个实施方案，提供减胶涂覆过程或边缘球状物去除(边胶去除，edge bead removal)过程用的稀释剂组合物(thinner composition)，所述稀释剂组合物包含乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1-C5非基于醚的烷基(non-ether based alkyl)。 

所述稀释剂组合物可包含约40重量份-约90重量份的乳酸烷基酯、约5重量份-约30重量份的环己酮和约1重量份-约30重量份的乙酸烷基酯，基于100重量份的所述稀释剂组合物。 

所述稀释剂组合物可包含约60重量份-约80重量份的乳酸烷基酯、约10重量份-约30重量份的环己酮和约10重量份-约20重量份的乙酸烷基酯，基于100重量份的所述稀释剂组合物。 

所述稀释剂组合物可进一步包含基于硅的表面活性剂。所述基于硅的表面活性剂的量可在0.001重量份-约1重量份的范围内，基于100重量份的所 述稀释剂组合物。所述基于硅的表面活性剂可为基于聚硅氧烷的表面活性剂。 

所述乳酸烷基酯的烷基取代基可为C1-C3烷基。所述乳酸烷基酯的所述烷基取代基为甲基或乙基。 

所述乙酸烷基酯的所述烷基取代基可为甲基、乙基或丙基。 

所述稀释剂组合物可不包括甲基乙基酮(MEK)、基于内酯的物质、基于丙酸酯的物质、基于醚的物质、或其衍生物。 

所述稀释剂组合物可不包括甲基乙基酮(MEK)、γ-丁内酯、基于丙酸酯的物质、基于醚的物质、或其衍生物。 

所述稀释剂组合物可不包括甲基乙基酮(MEK)、基于内酯的物质、基于丙酸酯的物质、丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)或丙二醇单甲基醚(PGME)。 

所述稀释剂组合物可基本上由乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯组成，所述乙酸烷基酯的所述烷基取代基为C1-C5非基于醚的烷基。 

根据一个实施方案，提供用于供应减胶涂覆(RRC)过程用的稀释剂组合物的设备，所述设备包括能密封的容器；容纳在所述容器中的如上所述的稀释剂组合物；喷嘴部分，其连接至所述容器和配置成将所述稀释剂组合物输送至期望位置；流量控制器，其配置成将所述稀释剂组合物的体积流速控制为在5cm³/分钟-100cm³/分钟的范围内。 

根据一个实施方案，提供基本上由以下组成的稀释剂组合物：基于100重量份的所述稀释剂组合物，约40重量份-约90重量份的量的乳酸烷基酯；基于100重量份的所述稀释剂组合物，约5重量份-约30重量份的量的环己酮；基于100重量份的所述稀释剂组合物，约1重量份-约30重量份的量的乙酸烷基酯；以及基于100重量份的所述稀释剂组合物，0重量份-约1重量份的量的基于聚硅氧烷的表面活性剂。 

所述乳酸烷基酯的量可为约60重量份-约80重量份，基于100重量份的所述稀释剂组合物。所述环己酮的量可为约10重量份-约30重量份，基于100重量份的所述稀释剂组合物。所述乙酸烷基酯的量可为约10重量份-约20重量份，基于100重量份的所述稀释剂组合物。 

所述基于聚硅氧烷的表面活性剂的量可为0.001重量份-约1重量份，基于100重量份的所述稀释剂组合物。 

所述乳酸烷基酯可为乳酸甲酯和所述乙酸烷基酯可为乙酸丙酯。 

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施方案，特征对于本领域的普通技术人员而言将变得明晰，在所述附图中： 

图1A-1C说明根据一个实施方案的减胶涂覆(RRC)过程的阶段的截面图； 

图2A和2B说明根据一个实施方案的边缘球状物去除(EBR)过程的阶段的截面图； 

图3说明根据一个实施方案的用于供应RRC过程用的稀释剂组合物的设备的概念图(草图，conceptual view)； 

图4A-4C说明显示通过使用根据一个实施方案的RRC过程用的稀释剂组合物形成的光刻胶层的厚度分布的图； 

图5A-5C说明当使用常规的EBR过程用的稀释剂组合物作为EBR过程用的稀释剂组合物进行EBR过程时获得的扫描电子显微镜(SEM)图像；和 

图6A-6C说明当使用根据一个实施方案制备的RRC过程用的稀释剂组合物作为EBR过程用的稀释剂组合物进行EBR过程时获得的SEM图像。 

具体实施方案

现在将在下文中参考附图更充分地描述示例性实施方案；然而，它们可以不同的形式体现且不应解释为限于本文中阐明的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开内容是彻底且完整的，并且将充分地将本发明的范围传达给本领域技术人员。 

在附图中，为了说明的清楚，可放大层和区域的尺寸。相同的附图标记始终是指相同的元件。 

将理解，虽然在本文中使用术语“第一”和“第二”描述各种元件，但这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不偏离本公开内容的教导的情况下，以下讨论的第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件可称为第一元件。 

本文中使用的术语仅为了描述具体实施方案并且不意图限制本发明。如本文中使用的，单数形式“一个(种)(a，an)”和“该(所述)”也意图包括复数形式，除非上下文清楚地另外说明。将进一步理解，术语“包括”和/或“包 含”，当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整体(integer)、步骤、操作、元件和/或组件(组分)的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件(组分)、和/或其集合的存在或添加。 

除非另外定义，本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解，术语例如在常用字典中定义的那些，应解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式的意义进行解释，除非在本文中明确地如此定义。 

可进行减胶涂覆(RRC)过程以实现EUV用光刻胶在基片上的完整和均匀的涂覆和去除不必要的和过量的光刻胶。术语“RRC过程”是指在基片上形成光刻胶层之前用于在该基片上形成稀释剂组合物的层的过程。 

图1A-1C说明用于解释RRC过程的基片110和组合物层的截面图。参考图1A，在基片110上形成RRC过程用的稀释剂组合物120的层。基片110可包括半导体材料，例如，第IV族半导体、第III-V族化合物半导体、或第II-VI族氧化物半导体。例如，第IV族半导体可包括硅、锗或硅-锗。在另外的实施(implementation)中，基片110可为绝缘体上硅(silicon-on-insulator，SOI)基片、包括SiO₂或其它无机氧化物的绝缘基片、玻璃基片等。 

参考图1A，稀释剂组合物120可在基片110旋转的同时通过喷嘴105a供应到基片110上。由于通过基片110的旋转产生的稀释剂组合物120的离心力，可形成具有基本上均匀的厚度的层。 

虽然稀释剂组合物120的层可通过如图1A中所示的旋涂形成，但在另外的实施中，也可使用各种其它已知的方法在基片110上形成稀释剂组合物120的层。 

参考图1B，光刻胶组合物130可通过喷嘴105b供应到稀释剂组合物120的层上。结果，由于离心力，光刻胶组合物130可均匀地涂覆到旋转的基片110上，并且同时，可与稀释剂组合物120混合以形成经混合的层135。用于供应光刻胶组合物130的喷嘴105b可与图1A中所示的用于供应稀释剂组合物120的喷嘴105a相同或不同。 

参考图1C，可对其在升高的温度下进行烘烤以去除挥发性组分，从而形成光刻胶层137。 

典型地，RRC过程用的稀释剂组合物改善光刻胶涂覆性能。而且，由于 光刻胶涂覆性能的改善，基片的表面可用相对少的量的光刻胶充分涂覆。因此，光刻胶的量可减少并且可实现更经济的过程。 

本文公开的实施方案提供RRC过程用的稀释剂组合物，其中所述稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1-C5非基于醚的烷基。 

例如，所述稀释剂组合物可包括约40重量份-约90重量份的乳酸烷基酯、约5重量份-约30重量份的环己酮和约1重量份-约30重量份的乙酸烷基酯，基于100重量份的所述稀释剂组合物。在一种实施中，所述稀释剂组合物可包括约60重量份-约80重量份的乳酸烷基酯、约10重量份-约30重量份的环己酮和约10重量份-约20重量份的乙酸烷基酯，基于100重量份的所述稀释剂组合物。 

不限于任何特定的理论或机理，可推测所述乳酸烷基酯增强所述稀释剂组合物的极性。例如，所述乳酸烷基酯可提高形成光刻胶组合物的光刻胶与溶剂之间的混溶性。所述提高的混溶性可导致所述光刻胶组合物的高的涂覆效率。 

如果所述乳酸烷基酯的量不太小，可获得充分的混合促进效果，且可提高所述涂覆效率。另一方面，如果所述乳酸烷基酯的量不太大，可获得具有充分的挥发性的稀释剂组合物。 

所述乳酸烷基酯可通过下式1表示。在式1中，R¹可为C1-C3烷基。例如，R¹可为甲基或乙基。例如，所述乳酸烷基酯可为乳酸甲酯。 

<式1> 

不限于任何特定的理论或机理，可推测所述环己酮可具有调平(level)所述光刻胶层，例如，使所述光刻胶层的高度均匀的功能。如果所述环己酮的量不太小，可获得具有均匀高度的光刻胶。另一方面，如果所述环己酮的量不太大，可避免过量的环己酮对光刻胶层的损害。 

不限于任何特定的理论或机理，可推测所述乙酸烷基酯可控制所述光刻胶的铺展性(spreadability)。所述乙酸烷基酯可使得所述光刻胶能够快速和良 好地铺展在整个表面上。如果所述乙酸烷基酯的量不太小，可获得所述光刻胶的足够的铺展性。另一方面，如果所述乙酸烷基酯的量不太高，可避免所述稀释剂组合物对于所述光刻胶的混溶性的降低和光刻胶残余物的存留(残留，persistence)。 

所述乙酸烷基酯可通过下式2表示。在式2中，R²可为C1-C3烷基。例如，R²可为甲基、乙基或丙基。例如，所述乙酸烷基酯可为乙酸丙酯。 

<式2> 

所述稀释剂组合物可进一步包括基于硅的表面活性剂。所述基于硅的表面活性剂可提高所述稀释剂组合物在所述光刻胶组合物的溶剂中的溶解性，使得所述光刻胶更容易与所述稀释剂组合物混合。 

所述基于硅的表面活性剂的量可在0.001重量份-约1重量份的范围内，基于100重量份的所述稀释剂组合物。如果所述基于硅的表面活性剂的量不太小，可获得所述表面活性剂的效果。另一方面，如果所述基于硅的表面活性剂的量不太高，可避免可导致有缺陷的光刻胶涂层的气泡的形成。 

例如，所述基于硅的表面活性剂可包括重复单元如-(SiR₂O)_n-、-(SiR₂)_n-或-(SiR₂CH₂)_n-(其中R为C1-C5烷基和n为20-500的整数)作为包括硅的重复单元。例如，所述基于硅的表面活性剂可为基于聚硅氧烷的表面活性剂。 

可从所述稀释剂组合物排除：甲基乙基酮(MEK)、基于内酯的物质、基于丙酸酯的物质、基于醚的物质、及其衍生物。作为具体实例，可从所述稀释剂组合物排除：基于内酯的物质，如γ-丁内酯；基于丙酸酯的物质，其为丙酸烷基烷氧基酯，如丙酸乙基乙氧基酯；和基于醚的物质或其衍生物，如丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)或丙二醇单甲基醚(PGME)。 

而且，可从所述稀释剂组合物排除作为环境调节物质的MEK。 

上述稀释剂组合物还可用作边缘球状物去除(EBR)过程用的稀释剂组合物。术语“EBR过程”是指在将光刻胶涂覆在基片上后用于去除位于所述基片的边缘的光刻胶以防止后续过程用的设备的污染的过程。 

图2A和2B说明用于解释EBR过程的基片110和光刻胶层137的截面图。参考图2A，通常，光刻胶层137在基片110的整个表面上的高度可能 不是均匀的，并且光刻胶层137的边缘堆积(增高，build up)，如图2A的部分A所示。该堆积部分可导致后续过程用的设备的污染。因此，去除所述堆积部分是合乎需要的。 

为此，用于供应EBR过程用的稀释剂组合物220的喷嘴105c可安置于所述堆积部分上方，并且稀释剂组合物220可在基片110旋转的同时喷射。结果，由于离心力，稀释剂组合物220可基本上仅在远离基片110的方向上移动，并且因此，除要去除的所述堆积部分以外的部分可被保持。 

参考图2B，稀释剂组合物220可溶解所述堆积部分(参见图2A的部分A)中包括的光刻胶以容许所述光刻胶以混合溶液225的形式流出。如上所述，混合溶液225由于离心力仅远离基片110流动。结果，可从基片110的表面去除光刻胶层137在稀释剂组合物220从喷嘴105c喷射到的地方与基片110的边缘之间的部分。 

在EBR过程之后，残留的光刻胶层137a可仍然具有堆积部分，如图2B的部分B所示。然而，在EBR过程之后的堆积部分(即，图2B中的部分B)的高度可显著小于在EBR过程之前的堆积部分(即，图2A中的部分A)的高度。这些结果可通过使用稀释剂组合物220获得。例如，如果使用常规的稀释剂组合物，可能无法获得这样显著的高度上的降低。而且，如果使用常规的稀释剂组合物，可能出现拖尾现象(tailing phenomenon)。因此，可降低过程稳定性和产品产率。 

实施方案提供用于适当地将上述稀释剂组合物供应至基片上的设备。图3为用于供应RRC过程用的稀释剂组合物320的设备300的概念图。 

参考图3，设备300包括为能密封的容器310、容纳在容器310中的稀释剂组合物320、喷嘴305(其以稀释剂组合物320可从容器310输送至基片110的这样的方式连接至容器310和配置成将稀释剂组合物320输送至期望位置)、以及配置成将稀释剂组合物320的体积流速控制在5cm³/分钟-100cm³/分钟的范围内的流量控制器(flow controller)330。下文中，将详细描述这些元件。 

承载基片110和使基片110以受控的速度旋转的支座(support)455可布置在腔室450中。支座455可连接至设置在支座455下面的旋转装置(未示出)以被旋转。 

稀释剂组合物320可容纳在能密封的容器310中。容器310可容许稀释 剂组合物320通过导管332流出。导管332可连接至流量控制器330，流量控制器330配置成将稀释剂组合物320的体积流速控制在5cm³/分钟-100cm³/分钟的范围内。流量控制器330可为，例如，质量流量控制器(MFC)。 

而且，导管332可如上所述以使得能够输送稀释剂组合物320的这样的方式连接至喷嘴305。设备300可进一步包括根据目的(purpose)控制喷嘴305的位置的定位器340。定位器340可配置成横向H和/或竖向V控制喷嘴305的位置。 

导管332可包括适于控制稀释剂组合物320的流动的在适当位置处的阀335a和335b。 

下文中，将参考实施例和比较例详细描述实施方案的构成和实施(效果，effect)。然而，应理解，实施方案不限于所描述的特定细节。进一步地，给出比较例是为了突出一些实施方案的一些特征，且比较例不应解释为将本发明的范围限制成实施例中所示例的，或者解释为在每一方面都必须在本发明的范围之外。 

使用下表1中所示的材料和量制备实施例1-12和比较例1-比较例11的稀释剂组合物。 

<表1> 

在表1中，ML表示乳酸甲酯，CXN表示环己酮，PAC表示乙酸丙酯，PGMEA表示丙二醇单甲基醚乙酸酯，PGME表示丙二醇单甲基醚，和GBL表示γ-丁内酯。 

光刻胶涂覆测试 

使用根据实施例1-12和比较例1-11制备的稀释剂组合物在其上形成了二氧化硅层的12英寸硅基片上进行RRC过程。在所述RRC过程期间，喷射所述稀释剂组合物各自2秒，然后，以2,000rpm的速率进行旋涂0.5秒。然后，涂覆光刻胶组合物，并评价涂覆均匀性，如下表2中所示。 

表2 

○：在涂覆后，对于基片的涂覆均匀性保持恒定 

△：在涂覆后，在基片的边缘未出现有缺陷的光刻胶涂层 

×：在涂覆后，在基片的边缘出现有缺陷的光刻胶涂层 

注：所使用的Krf光刻胶为PHS(聚羟基苯乙烯)；所使用的ArF光刻胶为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；所使用的EUV光刻胶为PMMA和聚(甲基丙烯酸酯降冰片基酯)(poly(norbornyl methacrylate))的共聚物。 

如表2中所示，实施例1-12的稀释剂组合物不论光刻胶的类型如何均呈现出优异的涂覆性能。虽然实施例的光刻胶中的一些具有‘Δ’(例如，实施例1、5和6)，但仍然认为实施例1-12的稀释剂组合物具有总体良好的涂覆性能，因为未出现有缺陷的涂层。 

然而，如表2中所示，比较例1-11的稀释剂组合物导致许多有缺陷的涂层。特别地，EUV光刻胶比KrF光刻胶或ArF光刻胶导致更多的有缺陷的涂层。 

EBR测试 

在其上形成了二氧化硅层的12英寸硅基片上涂覆表3中所示的各种类 型的光刻胶。然后，通过使用根据实施例1-12和比较例1-11制备的稀释剂组合物进行EBR过程以去除基片边缘处的不期望的光刻胶。在本EBR测试期间，使用之前使用来评价光刻胶涂覆性能的相同的旋涂器。 

在以300rpm的速率旋转所述基片3秒的同时，通过EBR喷嘴将所述稀释剂组合物各自喷射到涂覆有所述光刻胶的所述基片上。然后，以1,000rpm、1,500rpm和2,000rpm的速率使所述基片在各速度下旋转10秒，以去除所述基片边缘处的光刻胶。从装有压力计的压缩容器供应所述稀释剂组合物。在这种情况下，压缩压力为1.0kgf/cm²。而且，通过EBR喷嘴喷射的所述稀释剂组合物各自的体积流速控制为15cm³/min。 

根据以下条件评价的各光刻胶的EBR测试结果示于下表3中。 

表3 

◎：在EBR之后对于光刻胶的EBR线的均匀性保持恒定。 

○：在EBR之后对于光刻胶的EBR线的均匀性为80%或更高。 

△：在EBR之后对于光刻胶的EBR线的均匀性小于80%。 

×：在EBR之后，在光刻胶的边缘处出现拖尾。 

所述EBR线的均匀性通过如下方法测定： 

(i)通过如下相对于EBR线的范围设定中心线：使EBR线自中心线的偏离最小化； 

(ii)确定其中EBR线自中心线偏离超过100μm的“偏离区域”； 

(iii)测量偏离区域和中心线的长度并计算其和； 

(iv)计算在(iii)中获得的长度相对于中心线的总长度的百分数； 

(v)从100减去在(iv)中获得的百分数值。 

注：所使用的Krf光刻胶为PHS(聚羟基苯乙烯)；所使用的ArF光刻胶为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；所使用的EUV光刻胶为PMMA和聚(甲基丙烯酸酯降冰片基酯)的共聚物。 

<光刻胶厚度均匀性测试> 

使用根据实施例3制备的RRC过程用的稀释剂组合物在基片上涂覆底层(underlayer)，其中该底层的目标厚度为 而且，使用根据实施例3制备的RRC过程用的稀释剂组合物在基片上涂覆光刻胶膜，其中该光刻胶膜的目标厚度为 作为光刻胶，分别使用光-酸产生剂(光致产酸剂，PAG)偶联的(coupled)光刻胶和PAG混合的光刻胶。 

在基片上分别形成所述底层和所述光刻胶膜之后，在厚度方向上在各基片的19个位置(其中第1个位置到第19个位置顺次位于从基片的一端到另一端)处测量所述底层或所述光刻胶膜的厚度，和由所述结果，评价厚度均匀性。 

图4A显示当在12英寸基片上形成PAG偶联的光刻胶时获得的结果，和图4B显示当在12英寸基片上形成PAG混合的光刻胶时获得的结果。而且，图4C显示当在12英寸基片上形成底层时的结果。厚度测量结果示于下表4中。 

参考图4A和4B，可证实12英寸基片的中心部分略厚于其边缘。而且，参考图4C，12英寸基片的中心部分和边缘的厚度之间的差异非常小。 

参考表4，在所述光刻胶的情况下，在约 或更小的误差容限内，所述光刻胶膜是可形成的，和在所述底层的情况下，在 或更小的误差容限内，所述底层是可形成的。而且，因为σ%为约2.0，获得的膜非常均匀。 

<表4> 

注：σ%是相对于平均值的标准偏差的百分数。 

而且，如表4中所示，通过使用仅如0.5cm³或0.6cm³那么少的量的膜材料(即，光刻胶组合物或底层组合物)就可获得均匀的膜品质。因此，根据实施方案的稀释剂组合物可有助于显著减少昂贵的光刻胶材料的使用和降低工艺成本。如果使用仅光刻胶组合物或底层组合物，而不还使用根据实施方案的RRC过程用的稀释剂组合物，会需要较大量的光刻胶组合物或底层组合物来提供均匀的和成功的涂覆。而且，当使用常规的稀释剂组合物时，出现许多有缺陷的涂层，如表2中所示。虽然未示于表2中，但是当使用常规的稀释剂组合物时，有缺陷的涂层出现得更多，特别是在PAG偶联的光刻胶的情况下。 

EBR堆积和拖尾测试 

在其上分别形成了PAG偶联的光刻胶层、PAG混合的光刻胶层和底层的基片上进行EBR过程。使用实施例8的稀释剂组合物作为EBR过程用的 稀释剂组合物进行所述EBR过程。而且，出于性能的比较目的，使用包括PGMEA、PGME和γ-丁内酯的混合物(该混合物用作常规的EBR过程用的稀释剂组合物)进行EBR过程。 

然后，测量所述基片各自的堆积高度和观察是否出现拖尾。 

图5A-5C显示其上使用常规的EBR过程用的稀释剂组合物进行EBR过程的基片的边缘的SEM图像。具体而言，图5A显示当其上形成PAG偶联的光刻胶层时的基片的边缘的SEM图像，图5B显示当其上形成PAG混合的光刻胶层时的基片的边缘的SEM图像，和图5C显示当其上形成底层时的基片的边缘的SEM图像。 

参考图5A，当通过使用常规的EBR过程用的稀释剂组合物在PAG偶联的光刻胶层上进行EBR过程时，堆积高度为 且证实出现拖尾。而且，如图5B和5C中所示，虽然对于在PAG混合的光刻胶层或底层上进行的EBR过程未出现拖尾，但堆积高度是相对高的。 

图6A-6C显示其上使用实施例8的稀释剂组合物进行EBR过程的基片的边缘的SEM图像。图6A显示当其上形成PAG偶联的光刻胶层时的基片的边缘的SEM图像，图6B显示当其上形成PAG混合的光刻胶层时的基片的边缘的SEM图像，和图6C显示当其上形成底层时的基片的边缘的SEM图像。 

参考图6A，堆积高度为 其大大低于图5A中显示的堆积高度。而且，未出现图5A中显示的拖尾。此外，如图6B和6C中所示，对于在PAG混合的光刻胶层或底层上进行的EBR过程未出现拖尾，并且堆积高度与图5B和5C中显示的那些相比相对较小。 

因此，如果根据实施方案的RRC过程用的稀释剂组合物用作EBR过程用的稀释剂组合物，可减少设施的污染，过程稳定性可为高的，且生产产率可为高的。 

沉淀物形成测试 

将用于形成PAG偶联的光刻胶层、PAG混合的光刻胶层和底层的组合物各自与实施例3的稀释剂组合物以1:7的比例混合，并将所述混合物放置24小时。证实对于PAG偶联的光刻胶层、PAG混合的光刻胶层和底层中的任何情况，均未出现沉淀。 

设施稳定性测试 

将O形环样品、管道样品和由与支座中相同的成分形成的板样品浸渍在实施例3的稀释剂组合物中，并观察所述样品一周。证实它们的形状、重量或表面状态未变化。 

作为总结和评述，EUV光刻胶可具有与常规的ArF或KrF光刻胶的特性不同的非常独特的特性。因此，与常规的ArF或KrF光刻胶结合用于RRC过程等的稀释剂可能不具有令人满意的与EUV光刻胶一起使用的特性。 

本实施方案可提供能在减胶涂覆(RRC)过程中使用的稀释剂组合物。即使当光刻胶的量少时，所述稀释剂组合物也可容许所述光刻胶均匀涂覆在基片上而无缺陷，从而容许降低制造成本。 

本实施方案可提供能在边缘球状物去除(EBR)过程中使用的稀释剂组合物。所述稀释剂组合物可容许EBR过程在不损害光刻胶层的均匀性或在所述光刻胶层的边缘不出现拖尾现象的情况下进行。因此，可改善过程稳定性且可提高产率。 

本文已经公开了示例性实施方案，并且虽然采用了特定术语，但它们仅以总体和说明性的意义使用和解释，并非出于限制的目的。因此，本领域技术人员将理解，可在形式和细节方面进行各种改变，而不偏离如所附权利要求中给出的本发明的精神和范围。