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一种基于级联硅波导与边腔耦合的光子晶体传感器阵列

摘要

本发明涉及一种利用优化的硅波导将边腔耦合光子晶体波导级联构成的传感器阵列的实现方法,属于光子晶体传感器技术领域。本发明首次将三个可独立工作的边腔耦合光子晶体波导用优化的硅波导进行级联,实现光子晶体传感器阵列。本发明采用优化的级联硅波导,使得每个边腔耦合光子晶体波导之间的耦合连接更加良好,提高了透射率,为光子晶体传感器阵列的大规模集成提供了条件。本发明通过设计边腔耦合光子晶体波导中不同结构的边腔,使边腔的谐振频率不同,在透射谱中可获得不同位置的下坠峰。当光子晶体的空气孔被注入不同折射率的分析物时,每个光子晶体边腔的谐振频率均发生偏移,通过检测谐振频率的偏移量实现光子晶体阵列传感。本发明中涉及的光子晶体传感器阵列可以实现多分析物实时同步传感,为光子晶体传感器阵列的实现提供了新的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN103076306A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京邮电大学;

    申请/专利号CN201210190728.6

  • 申请日2012-06-11

  • 分类号G01N21/59;G01N21/41;G02B6/122;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100876 北京市海淀区西土城路10号

  • 入库时间 2024-02-19 18:18:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-09-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N21/59 申请公布日:20130501 申请日:20120611

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-06-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/59 申请日:20120611

    实质审查的生效

  • 2013-05-01

    公开

    公开

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