低电容高速传输半导体浪涌保护器件

摘要

本发明公开了一种低电容高速传输半导体浪涌保护器件，包括平面型固体放电管芯的硅片基底两面、镜像对称扩散基区和发射区，其中在该平面型固体放电管芯两表面的基区的四角处设有氧化区域。其反应迅速，性能稳定，长期使用性能不下降。