首页> 中国专利> 一种高浓度Nd掺杂YAG激光晶体生长方法

一种高浓度Nd掺杂YAG激光晶体生长方法

摘要

本发明公开一种高浓度Nd掺杂YAG激光晶体生长方法,该方法基于中频感应激光晶体炉,该方法涉及掺钕钇铝石榴石工艺领域,包括七个步骤4个阶段的生长方法。本发明所提供的高浓度Nd掺杂YAG激光晶体生长方法可获得直径Ф25~45mm、掺钕浓度1.17~1.41at%、浓度梯度小、散射颗粒少、质量较高的Nd:YAG激光晶体,工艺稳定,晶体成炉率较高,具有很好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN103074685A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山大学;

    申请/专利号CN201310040188.8

  • 申请日2013-02-01

  • 分类号C30B29/28(20060101);C30B15/00(20060101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人林伟斌

  • 地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

  • 入库时间 2024-02-19 18:03:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B29/28 申请公布日:20130501 申请日:20130201

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-06-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/28 申请日:20130201

    实质审查的生效

  • 2013-05-01

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号