公开/公告号CN102959675A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-03-06
原文格式PDF
申请/专利权人 瓦里安半导体设备公司;
申请/专利号CN201180031969.X
申请日2011-06-30
分类号H01J37/32;
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人臧建明
地址 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
入库时间 2024-02-19 18:03:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-11-04
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J37/32 申请公布日:20130306 申请日:20110630
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-04-03
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20110630
实质审查的生效
2013-03-06
公开
公开
机译: 等离子体浸没离子植入过程的植入前或植入后等离子体处理
机译: 等离子体浸没离子注入用于介电基片的控制装置
机译: 通过在基板上形成下部电极,在电极上形成介电层,氧自由基或等离子体热处理介电层并形成上部电极,在基板上生产电容器