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介电质基板的等离子体浸没离子植入的控制装置

摘要

一种介电质基板的等离子体浸没离子植入的控制装置,包括配置在等离子体处理室中所产生的等离子体上方的电极。利用电位高于用以接收离子植入的基板或阴极的电位的负电压脉冲而对该电极施予偏压。电极的电位较低,以便对由该电极产生的当作二次电子的电子给予足够的能量来克服基板周围的高电压鞘层的负电压而使电子到达基板。这些电子将加速朝向基板以便中和基板上的电荷聚集。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-04

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J37/32 申请公布日:20130306 申请日:20110630

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-04-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20110630

    实质审查的生效

  • 2013-03-06

    公开

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