半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法及该氢氟酸溶液的更换时期的管理方法

摘要

本发明提供一种测定灵敏度及测定精度高且高效的半导体晶片工艺用稀氢氟酸溶液的杂质分析方法。该杂质分析方法中，进行从浸渍槽收集该稀氢氟酸溶液的A工序、测量溶液中的Si的质量数28、P的质量数31和PO杂质的质量数47的质谱强度的B工序、将所收集的稀氢氟酸溶液干燥浓缩而固化的C-1工序、测定该固形物中的Si、P、PO元素在真空中的能量强度的C-2工序、和测量上述固形物在真空中的质谱强度的C-3工序，求出将C-3工序中求出的目的杂质的质谱强度和基体质量的谱强度合计而得到的谱强度与目的杂质的质谱强度的强度比，通过该强度比修正上述B工序中求出的质谱强度，求出稀氢氟酸溶液中的Si、P、PO的实际的杂质量。