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一种具有超晶格结构的新型薄膜太阳电池

摘要

本发明一种具有超晶格结构的新型薄膜太阳电池属于新型薄膜太阳电池的结构设计和制备之技术领域。随着第三代太阳电池概念的提出和薄膜太阳电池研究的发展,基于多带隙半导体太阳电池模型,半导体超晶格薄膜在太阳电池领域的应用备受关注。本发明为了提高薄膜太阳电池的效率,设计出对应于第三代太阳电池概念的单带差超晶格薄膜结构,该结构的关键之处,是采用两个单层薄膜夹住超晶格纳米薄膜,形成三明治结构;并首次提出了使用脉冲激光沉积技术来制备这种新型薄膜太阳电池的技术方法。这种单带差超晶格薄膜太阳电池的设计和制备为开发新型高效率的太阳电池提供了一个方向。

著录项

  • 公开/公告号CN102931275A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-02-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN201210417678.0

  • 申请日2012-10-29

  • 分类号H01L31/18;H01L31/0352;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

  • 入库时间 2024-02-19 17:57:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-20

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20130213 申请日:20121029

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-03-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20121029

    实质审查的生效

  • 2013-02-13

    公开

    公开

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