法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-07-20
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20130213 申请日:20121029
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-03-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20121029
实质审查的生效
2013-02-13
公开
公开
机译: 半导体层结构具有超晶格,该超晶格具有一种成分和另一种成分的连接半导体的交替堆叠层,其中堆叠层具有特定浓度的掺杂剂
机译: 具有超晶格结构的超晶格结构,半导体器件和半导体发光器件以及制造超晶格结构的方法
机译: 硅团簇超晶格和硅团簇超晶格的生产方法,硅团簇的生产方法,硅团簇超晶格结构和硅团簇超晶格结构的生产方法,半导体器件和量子器件