半导体器件、通过垂直层叠半导体器件配置的半导体模块结构及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件、通过垂直层叠半导体器件配置的半导体模块结构及其制造方法。一种半导体器件包括：有机基板1；通孔4，沿基板的厚度方向贯穿有机基板；内部和外部电极5a，5b，在有机基板1的前和后面上并与通孔4电连接；半导体元件，经接合层3安装在有机基板1的一主表面上，其元件电路表面面向上；绝缘材料层6，密封半导体元件及其周边；金属薄膜布线层7，在绝缘材料层中提供，其一部分在外表面上暴露；金属过孔10，在绝缘材料层中并与布线层7电连接；以及，外部电极9，在布线层7上形成，其中布线层7被构造为电连接在半导体元件2的元件电路表面上的电极、电极5a、金属过孔10以及在布线层上形成的外部电极9。