MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器

摘要

MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器，采用双温区化学气相沉积方法制备MgZnO纳米线阵列，由此获得MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器，其响应度高于现有MgZnO纳米线紫外光电探测器，属于半导体光电技术领域。本发明之MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器下电极位于硅衬底背面，MgZnO纳米线分布在硅衬底正面，上电极位于MgZnO纳米线上面，并与MgZnO纳米线欧姆接触，其特征在于，所述MgZnO纳米线竖直等高、整齐分布，构成MgZnO纳米线阵列。本发明用于环境污染监控、火焰光电探测、紫外预警以及通讯等领域。