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测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法

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摘要

本发明公开了一种测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法，包括步骤：(1)在硅衬底上生长N型硅外延层；(2)在N型硅外延层上刻蚀出沟槽；(3)用P型硅外延填充沟槽；(4)将P型硅外延层划分为N层，测定N层的总电阻Rs

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-07-22

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/66 申请公布日:20130123 申请日:20110719

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-01-29

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/66 变更前: 变更后: 登记生效日:20140103 申请日:20110719

专利申请权、专利权的转移
2013-03-06

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20110719

实质审查的生效
2013-01-23

公开

公开

1. 测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法 [P] . 中国专利： CN102891093A . 2013-01-23
2. 一种改善超级结深沟槽外延层平坦化的方法 [P] . 中国专利： CN103779228B . 2016.12.21
3. Dopant concentration measuring method of epitaxial layer and method of measuring resistivity of epitaxial layer using the same [P] . 日本专利： JP4941000B2 . 2012-05-30

机译：外延层的掺杂剂浓度的测量方法以及使用该方法的外延层的电阻率的测量方法
4. METHOD FOR MEASURING DOPANT CONCENTRATION OF EPITAXIAL LAYER AND METHOD FOR MEASURING RESISTIVITY OF EPITAXIAL LAYER [P] . 日本专利： JP2008211113A . 2008-09-11

机译：测量外延层掺杂浓度的方法和测量外延层电阻率的方法
5. Production of an active transistor region on a substrate comprises producing a trenched doping region in the substrate, producing an epitaxial layer, forming a retrograde doping profile in the epitaxial layer and further processing [P] . 德国专利： DE19957133A1 . 2001-06-07

机译：在衬底上产生有源晶体管区的步骤包括在衬底上产生沟槽的掺杂区，产生外延层，在外延层中形成逆向掺杂分布并进一步处理。