一种COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法

摘要

本发明提供一种COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法，涉及COF基板曝光技术领域。该COF基板的新冲孔式样和曝光对位MARK设计方法，包括以下步骤：S1、准备绝缘基材，在绝缘基材的单面通过溅镀法或电解电镀法形成铜导体层，绝缘基材和铜导体层组成COF基材，S2、在COF基材上进行冲孔，冲出多个方孔与shot间通孔，在现有的基础上，在两个方孔之间加入一个圆孔，该圆孔为新的曝光对位MARK。通过将现有的方孔改为方孔加圆孔的模式，可以在最小限度改变生产线，控制变更成本的前提下，提高曝光的准确性和效率，由此，减少因曝光位置偏移引起的过曝和漏曝问题，提高产品良率和经济效益。