垂直发射GaAs纳米线阵列光电阴极及制备方法

摘要

本发明提供了一种垂直发射GaAs纳米线阵列光电阴极，包括p型GaAs衬底层、p型变掺杂GaAs纳米线阵列发射层、Cs/O激活层；其中p型GaAs衬底层设置于最下方，p型变掺杂GaAs纳米线阵列发射层包括若干设置于p型GaAs衬底层上底面的等厚的带有陷光结构的p型变掺杂GaAs纳米线，Cs/O激活层若干且分别设置于相应的p型变掺杂GaAs纳米线上底面。