公开/公告号CN110491763A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-22
原文格式PDF
申请/专利权人 A·SAT株式会社;
申请/专利号CN201910872152.3
发明设计人 铃木崇之;
申请日2015-12-25
分类号
代理机构北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人李永虎
地址 日本东京都中央区日本桥小伝马町4番3号
入库时间 2024-02-19 16:44:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20151225
实质审查的生效
2019-11-22
公开
公开
机译: 等离子体蚀刻装置的电极所具备的气体导入孔的测定方法,电极,电极的再生方法,等离子体蚀刻装置,气体导入孔的状态分布图的显示方法
机译: 等离子体蚀刻装置的电极所具备的气体导入孔的测定方法,电极,电极的再生方法,等离子体蚀刻装置,气体导入孔的状态分布图的显示方法
机译: 等离子体刻蚀装置的电极中引入气体的测量方法,电极,电极再生方法,再生电极,等离子体刻蚀器中的气体以及引入孔态分布图的气体及其显示方法