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微电路形成方法及蚀刻液组合物

摘要

本发明涉及一种微电路形成方法,本发明的微电路形成方法的特征在于,包括:种子层形成步骤,在基板材料上由导电物质形成高反射率种子(Seed)层;图案层形成步骤,在所述种子层上形成设置有图案槽的图案层,以便所述种子层选择性暴露;镀覆步骤,由导电物质来填充所述图案槽;图案层去除步骤,去除所述图案层;及种子层构图步骤,去除与所述镀覆步骤中的导电物质不重叠部分的种子层,所述高反射率种子层具有正反射特性。

著录项

  • 公开/公告号CN110521289A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 印可得株式会社;

    申请/专利号CN201880023887.2

  • 申请日2018-02-27

  • 分类号

  • 代理机构北京瀚仁知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人宋宝库

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2024-02-19 16:40:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-29

    公开

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