通过化学蚀刻去除选择性沉积缺陷

摘要

本发明描述了一种将膜选择地沉积在相对于第二基板表面的第一基板表面上的方法。该方法包括：使基板暴露于阻隔分子，以于该第一表面上选择性沉积阻隔层。于该第二表面上选择性形成层并于该阻隔层上形成该层的缺陷。从该第一表面上的该阻隔层去除该缺陷。