一种基于溶液法制备氧化镧介电层的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种基于溶液法制备氧化镧介电层的柔性有机非易失性存储器件，包括柔性白云母衬底和在衬底上依次层叠的金底电极、绝缘层、存储层聚α‑甲基苯乙烯、有源层并五苯和金源漏电极，所述绝缘层为氧化镧薄膜。进一步地，本发明利用溶液法制备绝缘层氧化镧薄膜，工艺简单，成本低，能耗低，氧化镧薄膜作为绝缘层的制备温度可低至120℃，低温制备的氧化镧绝缘层不仅能降低器件的漏电流，还能使存储器件表现出优良的存储性能，操作电压可低至‑7V，且擦写速度快（100μs），尤其是在紫外光照射条件下，对光具备较好的响应，可应用于光传感技术领域，同时超低工作电压特性使其具有更好的应用前景。