一种快速获得碳化硅陶瓷晶粒信息的样品制备及其分析与测定方法

摘要

本发明提供一种快速获得碳化硅陶瓷晶粒信息的样品制备及其分析与测定方法，具体涉及一种利用离子束截面抛光技术制备扫描电子显微镜观察的碳化硅陶瓷截面样品的方法，包括：将碳化硅陶瓷进行离子束截面抛光，得到所述碳化硅陶瓷截面样品；所述离子束截面抛光的参数包括：离子束加速电压为5～8 kV；样品抛光时间为120～300分钟；电流为1.5～3 mA。